介入術(shù)者個(gè)子矮輻射暴露量高，美國(guó)研究

冠脈介入治療發(fā)展至今，躲不開(kāi)的是輻射問(wèn)題。

近期，一項(xiàng)美國(guó)研究發(fā)現(xiàn)，術(shù)者輻射暴露隨著臺(tái)面的升高而顯著增加。矮個(gè)子術(shù)者比高個(gè)子術(shù)者受到了更多的輻射。

該研究分析了后前位（PA）、左前斜（LAO）、右前斜（RAO）投造位測(cè)量的入射表面暴露(MESE)與X射線源距離之間的關(guān)系。MESE代表了患者的輻射暴露。

根據(jù)導(dǎo)管床臺(tái)面與X射線源（定一個(gè)點(diǎn)）之間的距離分成低（52 cm）、中（66 cm）和高（80 cm）三個(gè)高度。

在三個(gè)臺(tái)面高度情況下，還分別測(cè)量了矮個(gè)子(150 cm)和高個(gè)子(190 cm)術(shù)者的輻射暴露量。

研究發(fā)現(xiàn)，患者受到的輻射暴露隨著導(dǎo)管床臺(tái)面的升高顯著降低，而術(shù)者的輻射暴露隨著臺(tái)面的增高而增加。

此外，與個(gè)子高的術(shù)者相比，個(gè)子矮的術(shù)者受到的輻射量更高。

研究還發(fā)現(xiàn)，與左前斜、右前斜相比，后前位時(shí)患者的輻射暴露最少。而對(duì)術(shù)者來(lái)說(shuō)，左前斜輻射暴露最多。

來(lái)源：Pancholy SB, Payne M, Pancholy PS, et al.Association between distance from the radiation source and radiation exposure:A phantom-based study. Catheter Cardiovasc Interv. [published online ahead ofprint, 2020 Sep 3].

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