多源蒸鍍就是在制備由兩種以上元素構成的合金或化合物膜時,將組成元素分別裝入各自的蒸發(fā)源中,獨立控制各蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,使到達基片的原子與所需合金或化合物膜的組成相對應。
由兩種以上元素構成的合金或化合物蒸發(fā)時,由于組成元素的固有蒸發(fā)速率不同,得到的薄膜成分一般不同于鍍膜材料。這不僅會造成膜層成分的差異,而且隨著蒸鍍時間的延長,在厚度方向膜層的成分也將發(fā)生變化,得不到成分均勻的膜層。采用不同的蒸發(fā)源同時分別蒸發(fā)各組成元素,獨立控制各蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,使到達基體的原子與所需合金薄膜的組成相對應,則能制成滿足成分要求的薄膜。1
簡介多源蒸鍍?yōu)橹苽鋸碗s成分或多層復合薄膜,采用多種源物質的真空蒸鍍技術。多源蒸鍍又分為多源共蒸發(fā)鍍膜法和多源順序蒸發(fā)鍍膜法兩類。多源共蒸發(fā)鍍膜法是將多種源物質同時按不同的速率蒸發(fā),在氣相中混合并在襯底上沉積得到預期成分薄膜的涂層技術。多源順序蒸發(fā)鍍膜法是將各種源物質按不同的先后順序依次蒸發(fā)沉積,在襯底上得到多層復合蒲膜的涂層技術。
多源蒸鍍裝置合金或化合物蒸鍍時,由于組元的固有蒸發(fā)速率不同,得到的膜成分往往與蒸鍍材料不同,而且隨著蒸鍍時間的延長,在厚度方向膜層的成分也將發(fā)生變化,得不到成分均勻的膜層。多源蒸鍍就是在制備由兩種以上元素構成的合金或化合物膜時,將組成元素分別裝人各自的蒸發(fā)源中,獨立控制各蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率,使到達基片的原子與所需合金或化合物膜的組成相對應,則能制得滿足成分要求的薄膜。下圖為雙源蒸鍍的示意圖。
裝置的關鍵是每個蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率都必須進行獨立的控制和指示,而且各蒸發(fā)源之間要用擋板隔開,避免相互污染,并使蒸發(fā)源到基片間的距離足夠大,以保證被鍍表面各處組分相同。2
本詞條內容貢獻者為:
張磊 - 副教授 - 西南大學