[科普中國(guó)]-3D磁存儲(chǔ)器

3D磁存儲(chǔ)器，即3D XPoint（發(fā)音three dee cross point），是一種由英特爾和美光科技于2015年7月宣布的非易失性內(nèi)存（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱為QuantX。它通常被認(rèn)為是一種基于相變化內(nèi)存的技術(shù)，但也有其他可能性被提出。[2]

該種技術(shù)的材料和物理細(xì)節(jié)尚未公布。比特存儲(chǔ)基于bulk電阻的變化，結(jié)合可堆疊的跨網(wǎng)格數(shù)據(jù)訪問(wèn)陣列。

簡(jiǎn)介3D XPoint（發(fā)音three dee cross point）是一種由英特爾和美光科技于2015年7月宣布的非易失性內(nèi)存（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱為QuantX。它通常被認(rèn)為是一種基于相變化內(nèi)存的技術(shù)，但也有其他可能性被提出。

該種技術(shù)的材料和物理細(xì)節(jié)尚未公布。比特存儲(chǔ)基于bulk電阻的變化，結(jié)合可堆疊的跨網(wǎng)格數(shù)據(jù)訪問(wèn)陣列。

美光的存儲(chǔ)解決方案副總裁說(shuō)：“3D Crosspoint將是DRAM價(jià)格的一半左右，但會(huì)比NAND閃存貴4到5倍?！毕噍^NAND閃存，英特爾宣稱其有10倍的低延遲，3倍寫入耐久，4倍每秒寫入、3倍每秒讀取的性能提升，以及30%的功耗。1

背景與闡述3D XPoint的開發(fā)始于2012年。英特爾和美光之前已開發(fā)了其他非易失性相變化內(nèi)存（PCM）技術(shù)；美光Mark Durcan說(shuō)：3D XPoint架構(gòu)不同于以前提供的PCM，并為閃存單元的選擇器和存儲(chǔ)部分采用硫族化物材料，從而比傳統(tǒng)的PCM材料（例如GST）更快、更穩(wěn)定。

截至2015年，英特爾或美光尚未提供該技術(shù)的完整細(xì)節(jié)，盡管該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)聲明“不基于電子”。3D XPoint已經(jīng)被聲明使用電阻并且是比特可尋址。類似Crossbar公司正在開發(fā)的可變電阻式內(nèi)存，但3D XPoint存儲(chǔ)的物理結(jié)構(gòu)不同。3D XPoint的開發(fā)商表示其基于“bulk材料的電阻變化”。英特爾首席執(zhí)行官Brian Krzanich回應(yīng)了對(duì)XPoint材料的提問(wèn)，稱切換是基于“bulk材料性能”。英特爾已表示3D XPoint不使用相變或憶阻器技術(shù)。

根據(jù)最近的一篇文章，“似乎沒(méi)有其他供應(yīng)商有能比擬XPoint性能和耐用性的類似的電阻式內(nèi)存/相變存儲(chǔ)器技術(shù)。”

各個(gè)數(shù)據(jù)單元不需要晶體管，因此封裝密度將是DRAM的4倍。2

產(chǎn)品在最初，由IM Flash TechnologiesLLC（英特爾-美光合資）運(yùn)營(yíng)的位于猶他州李海的晶圓廠在2015年生產(chǎn)了少量128 Gbit芯片，其堆疊兩個(gè)64 Gbit平面（plane）。2016年初，IM Flash首席執(zhí)行官Guy Blalock表示，芯片批量生產(chǎn)仍需約12至18個(gè)月。

2015年中期，英特爾宣布基于3D XPoint技術(shù)的Optane品牌，預(yù)計(jì)每比特價(jià)格將高于NAND但低于DRAM，具體仍取決于最終產(chǎn)品。

2016年早期，IM Flash宣布其首個(gè)固態(tài)硬盤世代將達(dá)到9微秒潛伏時(shí)間、95000IOPS吞吐量。2016年英特爾開發(fā)者論壇上演示的PCI Express（PCIe）140GB開發(fā)板在基準(zhǔn)測(cè)試方面顯示了相較于PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改進(jìn)。

2017年初，英特爾公布了Optane品牌的中文名——閃騰，3月28日的發(fā)布會(huì)上，閃騰更名為傲騰。產(chǎn)品會(huì)有固態(tài)硬盤和內(nèi)存兩種方式。

3月19日，英特爾發(fā)布了傲騰固態(tài)硬盤——面向企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心的“Optane SSD DC P4800X”。3月28日，英特爾發(fā)布了傲騰內(nèi)存（Intel Optane Memory）。3

參見(jiàn)混合存儲(chǔ)立方體

本詞條內(nèi)容貢獻(xiàn)者為:

張磊 - 副教授 - 西南大學(xué)