低壓差穩(wěn)壓器(英語:Low-dropout regulator,LDO),又稱低壓差線性穩(wěn)壓器、低壓降穩(wěn)壓器,是線性直流穩(wěn)壓器的一種,用途同是提供穩(wěn)定的直流電壓電源。相比于一般線性直流穩(wěn)壓器,低壓差穩(wěn)壓器能于更小輸出輸入電壓差的情況下工作。
簡介低壓差穩(wěn)壓器(英語:Low-dropout regulator,LDO),又稱低壓差線性穩(wěn)壓器、低壓降穩(wěn)壓器,是線性直流穩(wěn)壓器的一種,用途同是提供穩(wěn)定的直流電壓電源。相比于一般線性直流穩(wěn)壓器,低壓差穩(wěn)壓器能于更小輸出輸入電壓差的情況下工作。1
歷史第一個低壓降穩(wěn)壓器是輸出可調(diào)式設計,在1977年發(fā)表于雜志"Electronic Design",題為"Break Loose from Fixed IC Regulators"。該文章作者是Robert Dobkin,當時他任職于美國國家半導體(英語:National Semiconductor),該公司因此聲稱是低壓降穩(wěn)壓器的發(fā)明者。Dobkin其后在1981年離開National Semiconductor并與Robert J. Widlar 一起創(chuàng)立Linear Technology,現(xiàn)為該公司的Chief technology officer。
首枚低壓降穩(wěn)壓器集成電路是LT1083。1
原理低壓差穩(wěn)壓器原理上與一般的線性直流穩(wěn)壓器基本相同,分別在于低壓差穩(wěn)壓器輸出端的功率由NPN晶體管共集極架構(gòu),改為PNP集電極開路架構(gòu)(以使用雙極性晶體管以言)。這種架構(gòu)下,功率晶體管的控制極只要利用對地的電壓差就能讓晶體管處于飽和導通狀態(tài),因此輸入端只需高出輸出端多于功率晶體管的飽和電壓,穩(wěn)壓器就能運作,穩(wěn)定輸出電壓。
這類設計在保持穩(wěn)定性方設計難度較高,因為輸出級的阻抗較大,較易不穩(wěn)定或起振。
使用的功率晶體管低壓差穩(wěn)壓器所使用的功率晶體管可以是雙極性晶體管或場效晶體管。
雙極性晶體管因為基極電流的關(guān)系,會耗用額外的電流,增加功耗,在相對高輸出電壓、低輸出電流、低輸出輸入電壓差的情況下尤其明顯。
場效晶體管沒有雙極性晶體管的功耗問題,但其所需導通的閘極電壓限制了其在低輸出電低的應用,而且場效晶體管管的成本較高。隨著半導體技術(shù)的進步,這兩方面的問題都得以改善。1
參見穩(wěn)壓器
電流源
線性穩(wěn)壓器
開關(guān)電源
直流電壓轉(zhuǎn)換器(DC-DC轉(zhuǎn)換器)
78xx
LM317
本詞條內(nèi)容貢獻者為:
李嘉騫 - 博士 - 同濟大學