集成光路基本結(jié)構(gòu)與光纖一樣將光波通過全反射的完全封閉于折射率高的芯部,形成波導,如圖為集成光路的波導路結(jié)構(gòu)。
玻璃波導路集成光路的基本結(jié)構(gòu)與光纖一樣將光波通過全反射完全封閉于折射率高的芯部,從而形成波導,而波導路按使用目的分為平面波導及隧道波導,也可以分類為單一波型與多波型,擴散型與薄膜型。如圖為集成光路的波導路結(jié)構(gòu)。
離子交換波導路玻璃中的Na、K離子在高溫下成為可遷移的離子,可從外部與其他離子相互擴散(交換)使組成產(chǎn)生變化。要使折射率提高,可通過與極化率大的K+、Rb+、Cs+、T1+、Ag+或離子半徑小的Li+進行離子交換。
濺射薄膜波導路于基板材料上堆積不同材料的薄膜形成波導路,可以用很多其他材料,從而使功能擴大使用高頻濺射制備波導路7059玻璃最為常用,基板常采用低折射率玻璃,在Si晶片利用加熱氧化制備SiO2/Si基板,具有制備光檢測器集成光路可能性,而且損耗低,用CO2激光退火使之損耗降至0.01dB/cm。
CVD玻璃薄膜波導路制備方法有:
1、火焰堆積法:向SiC4、TiC4加入摻雜劑的混合氣,在火焰中產(chǎn)生氧化反應的玻璃微粒子,堆積于基板SiO2、SiO2/Si上,1250℃熱處理形成透明波導路,可通過混合氣體組成控制折射率,制備大范圍膜厚的波導路。
2、低壓CVD、等離子體CVD: Si3N4 薄膜可采用SiH4與NH3為原料制備,可用于高折射率低損耗的被導路。低壓CVD可在800℃下制膜,等離子體在200~ 300℃低溫即可成膜,在原料氣中加人N2O可制成SiOxNy膜,改變組成可控制折射率。此外,還有C中、P摻雜的SiO2膜,這種CVD方式可利用半導體設備及制備工藝進行。
3、激光CVD:利用激光掃描在基板上選擇性成膜制備波導路,如用CO2激光制備SiON波導路。
其他的玻璃波導路擴散型的如向SiO2基板上注入He+、Li+的離子波導路,As-S,As-Se-Ge等硫化物玻璃波導路的聲光效應高,利用光電子束照射,可引起折射率的變化。
波導元件被動元件被動元件包括槽型波動元件、波導鏡頭、光柵元件等。
光控制元件許多需要采用光開關、變頻器、空間變頻器、偏向器等元件,靠外部信號控制被導光。為實現(xiàn)上述的電光效應功能,有效的方法是采用強介電體結(jié)晶或半導體材料,而玻璃材料則不顯示這些效應。
非線性光學元件用光信號對光波超高速控制的光一光開關,可以利用三階非線性光學效應(折射率或吸收率與光強的關系),在各種玻璃材料中半導體摻雜玻璃(SDG)、 硫化物玻璃、鉛玻璃等顯示較大的非線性特性。
激光元件Nd摻雜玻璃作為基板通過Ag離子擴散可制成槽型光波導,端面制成高反射率鏡,將半導體激光作為激勵光源可得到波長1 .054μm的激光振蕩,適宜光通訊的波長1.5μm帶顯示激光作用的Er摻雜玻璃已在纖維型方面取得較大成果,在Si基板上堆積Er摻雜SiO2形成光波導,可做成放大器。
集成光路實例1、通信用波長分波器WDM (Wavelength Divsion Multiple一xing) 光纖通信要擴大傳輸容量,可采用波長多路系統(tǒng),在接受信號的末端設置必要的波長分被器,由此出現(xiàn)各種器件。
2、高頻信號處理器裝置將波導型聲光布喇格元件與波導光推直,集成傅里葉變換波導鏡頭,可將高頻信號的波譜實時做出高速分析,實現(xiàn)光集成RF譜檢偏鏡等傅里葉變換信號處理器。1
本詞條內(nèi)容貢獻者為:
張尉 - 副教授 - 西南大學